“兩塊石子落進湖裡，如果距離合適，產生的水波會交匯。注意觀察它……
如果水波交會時，一個波峰遇到另一個波谷，就會相互抵消變弱。如果一個波峰遇到另外一個波峰，則會疊加增強。
代入到電磁波，兩個頻率相同的電磁波互相干擾，會在有的方向增強，有的方向抵消。
如果改變兩個波的發射時間，或是改變兩個波的發射位置，就能夠改變增強波的方向，這就是相位干涉。
不是甚麼新鮮玩意，相關理論的行程可以追溯至三十年代……”
曲某人小小的發了一陣脾氣後，沉寂了三天。待英國佬和高盧人出發奔西昌，冒出來一群重量人士。
很重，黃金那麼重。
領頭的是個子不高，身材很瘦的劉姓老將。餘下的分別來自於國防科委、國防工辦和科裝委……這三個部門加在一起，就是以後的科工委。
原本不會有這麼大陣仗的。
某人的話傳回京城，把不少人氣夠嗆。但有點沒招兒……好像真的不太能命令得著他。
對某人瞭解頗“深”科委主任張上將得知後，篤定的說：趕緊派人去，那小子肚子裡有大貨。
就因為這話，才組團來了這麼多人……
雖然有幾個打過照面，但算不上多熟，曲某人擺出冷淡臉一視同仁。在八院設計部門的小會議室，給一幫人紮紮實實的上了一趟課……
“相控干涉”是相控陣雷達實現電子掃描的核心基礎原理之一。
完整的相控陣技術,有相位干涉、陣列天線架構和訊號處理三大核心要素。
二十年代末到三十年代理論出現，英國佬在35年發明的脈衝雷達，為後續發展奠定了基礎。
漢斯GEMA公司在36年搞出了“愛神”雷達，首次嘗試垂直面電掃描。37年的正式列裝型號時，探測距離達到96公里。
但真空管壽命和穩定性都不行事兒，雖然理論引數很亮眼，但實際應用效果並不十分理想。
老美在37年啟動了相控陣雷達研究，探索電子掃描技術的可行性。因為缺乏實用化的硬體支撐，更多隻是停留在理論和技術驗證階段……
直到五十年代後，矽基半導體材料得到初步應用，推動雷達從真空管向固態器件過渡。
55年，老美採用矽基電晶體實現電子掃描的艦載相控陣雷達，開始裝備到“企業” 號航母，算是實際應用的開端。
64年老美“微電子用於雷達計劃”（MERA）首次研製出604單元的L波段有源陣列，驗證了分散式發射與接收（T/R）元件的可行性。
69年，老美空軍將MERA升級為RASSR計劃，開發出1648單元的陣列，但受限於矽器件效能無法實用化。
同樣是69年，老美的AN/FPS-85空間監視雷達投入使用。配備32兆瓦發射功率，可跟蹤2.2萬海里外的衛星。
76年，又搞出了採用固態T/R元件的AN/FPS-115“鋪路爪”雷達，探測距離達5500公里，成為彈道導彈防禦的核心裝備……
以上的這些，都是每個天線單元都搭配1個獨立T/R元件。每個元件都能自主產生、放大訊號和處理訊號的分散式陣列，就是所謂的有源相控陣雷達。
說人話：每個天線單元都是一個小喇叭，能自己喊話、自己聽聲。
效能表現優秀且全面，但造價昂貴。
於是，一種基於費效比的折中方案出現了。
只有1個或少數幾個集中式大功率發射機，訊號先由發射機放大到高功率，再透過功率分配網路輸送到每個天線單元；接收時所有天線單元的訊號也需彙總到1個或少數幾個集中式接收機進行處理……
說人話：一個大喇叭喊話，所有天線單元傳聲，就是所謂的無源相控陣雷達。
沒錯，有源相控陣比無源相控陣出現，並得到應用的更早。但無源相控陣結構簡單成本較低，率先實現戰術級普及。
比較劃時代的例子，是75年毛子米格- 31截擊機上裝備的N007“屏障”無源雷達。米格- 31也是全球首款搭載相控陣火控系統的戰機。
到這裡，矽基相控陣雷達的發展進入了瓶頸期。
受矽高頻損耗限制，主要工作在1-6 GHz的L/S波段。難以覆蓋8-12 GHz的X波段。
對大型目標探測約200-300公里，對小型目標不足100公里。且工作頻寬窄，易受敵方電子壓制……
在80年這一時間節點，第二代半導體材料砷化鎵與相控陣雷達的應用，已經完成了實驗室驗證。
之所以沒有實際應用，是卡在了缺陷控制和工業化製備上。
高盧佬之所以急，是因為他們在70年代末，就展開了砷化鎵電子元件應用於雷達的研究。所表現出的特性，又讓人充滿了無限的期待。
但即便在實驗室條件下，砷化鎵晶錠的缺陷控制，都只能看天意。器件加工良品率不到百分之三十。製備成本高到讓人頭皮發麻，完全不具備實踐化的可能。
同樣被良品率和成本困擾的還有老美的雷神公司，他們也確認了砷化鎵材料在雷達應用上的優秀前景。
但和高盧人一樣，不論是晶錠缺陷控制還是加工良品率，有太多問題等待解決。
83年推出AN/SPY-1A無源雷達，只能退而求其次的採用鐵氧體移相器，機械加電子混合掃描體制。並以此構成了第一代宙斯盾系統的核心。
直到90年代，採用液相外延法取代了液封直拉法和水平布里奇曼法，並採用光學光刻配合電子束光刻，勉強實現了砷化鎵器件的工業化生產。
並應用到了下一代宙斯盾系統的AN/SPY-1D雷達。和F22戰機的AN/APG-77機載雷達上。成就了一段先敵發現，先敵開火的無敵神話。
後面的就不需要絮叨了，老美用功率密度一到三瓦的第二代半導體材料的砷化鎵，碾壓了功率密度0、1到0.5瓦的矽基器件，保持了二十多年的領先。
我們採用“蛙跳”戰術，跳過了第二代半導體材料，直接上功率密度十到二十瓦的氮化鎵……
在80年四月這個時間點，曲卓不知道老美的砷化鎵距離工業化製備還有多遠。但他知道京城的半導體所差的還很遠，即便有他提供的外延生長裝置。
眼下在實驗室內僅能製備2英寸單晶錠，缺陷密度高達每平方里面十的四次方。砷化鎵器件的加工，正在摸索和積累經驗。
實驗室製備，他能幫上忙。但想實現工業化製備，他能做的十分有限。
以他的所知，起碼需要自行設計鉬制加熱線圈，並完成由計算機控制的“梯度升溫法”。解決區域熔融和液相外延複合工藝，還需要研製臥式外延爐，開發晶體切割與拋光自動化生產線。
對實驗室精密裝置的“掌握”，曲卓是藉助劍橋，劍橋依靠歐洲的技術實力完成的。
工業化生產，原本也計劃藉助歐洲的技術實力。
但之前從高盧往回來時，小日子一頭撞了上來。眼下正排在戴英和高盧後面，急的一蹦一跳呢……